The interface of epitaxial nanographene on GaN by PECVD
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
investigation of effective parameters on the rigidity of light composite diaphragms (psscb) by fem
در این رساله با معرفی سقف های psscb متشکل از ترکیب ورق های فولادی ذوزنقه ای و تخته های سیمانی الیافی به عنوان سقف های پیش ساخته (سازگار با سیستم سازه ای قاب های فولادی سبک) به بررسی پارامترهای موثر بر صلبیت سقف، پرداخته می شود. در تحقیق حاضر ابتدا به مدل سازی دو نمونه سقف آزمایش شده، به روش اجزاء محدود با استفاده از نرم افزار تحلیلی abaqus ver 6.10 پرداخته شده است. نمونه های ساخته شده تحت اعما...
the role of task-based techniques on the acquisition of english language structures by the intermediate efl students
this study examines the effetivenss of task-based activities in helping students learn english language structures for a better communication. initially, a michigan test was administered to the two groups of 52 students majoring in english at the allameh ghotb -e- ravandi university to ensure their homogeneity. the students scores on the grammar part of this test were also regarded as their pre...
15 صفحه اولthe effect of keeping reflective journals by language instructors on the process of reading comprehension among iranian high school students
خواندن ودرک مطلب از مهمترین مهارتها در یادگیری زبان خارجی محسوب می شود. این تحقیق تاثیر برگه های تامل برانگیز هدایت شده را در ارتقاع مهارت خواندن ودر ک مطلب در دانش اموزان دبیرستانی ایرانی بررسی می نماید. ازمجموع ?2 دانش آموز سال چهارم دبیرستان شهید رجایی شهرستان اسلامشهر¸ پس از اجرای آزمون استاندارد ((nelson 150a تعداد 39 دانش آموز که نمرات آنها یک سطح انحراف معیار بالاتر یا پایین تر ازمعدل قر...
a study on insurer solvency by panel data model: the case of iranian insurance market
the aim of this thesis is an approach for assessing insurer’s solvency for iranian insurance companies. we use of economic data with both time series and cross-sectional variation, thus by using the panel data model will survey the insurer solvency.
High-temperature molecular beam epitaxial growth of AlGaN/GaN on GaN templates with reduced interface impurity levels
templates with reduced interface impurity levels G. Koblmüller, R. M. Chu, A. Raman, U. K. Mishra, and J. S. Speck Department of Materials, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA Walter Schottky Institut, Technische Universität München, D-85748 Garching, Germany
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: AIP Advances
سال: 2019
ISSN: 2158-3226
DOI: 10.1063/1.5111443